in situ LTO

従来法のLTO (Low temperature Oxidation)では、B-Si層をフッ酸で除去する為に、拡散を終えて室温に戻し拡散ソ−スを外してから、一度フッ酸にてガラス層を除去し、約800℃で20-30分スチ−ム処理してB-Si層を酸化させる必要があります。

ボロンプラスは酸素の影響を受け難いソ−スなので、ソ−スを外さずにそのままの状態でデポ後の降温時に酸素を導入することでB-Si層を酸化させることが出来ます。(これを in situ LTOと言います。)

in situ LTO により、拡散工程後すぐにB-Si層のフッ酸処理工程に入れますので、プロセスの短縮化が出来ます。


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